美韓3家巨頭掐架
根據美國半導體巨頭美光科技在此前財報會議上的說法,公司正在與光刻機大廠ASML開展談判工作,預計在2024年,美光將采用ASML的EUV光刻機生產存儲芯片。
根據EETOP的說法,目前的存儲芯片生產并不使用高端的EUV光刻機,上一代深紫外光刻機便可以滿足存儲芯片的生產需求。
而根據快科技此前的消息,美光將由1γ(gamma)工藝節點開始導入,使用EUV工藝的存儲芯片預計將在2024年進入量產階段。
其實,美光不是第一家使用EUV技術生產存儲芯片的廠商??炜萍贾赋?,在美光之前,三星和SK海力士已經在去年年底便布局EUV工藝,且在技術推進上更為激進。
眾所周知,EUV工藝節點意味著更高的成本投入,而美光、三星等巨頭之所以不惜重金投入,無非是看到了存儲芯片市場巨大的潛力,想通過更先進的產品性能來吸引客戶。與如此龐大的市場規模相比,購買EUV光刻機的支出顯得“微不足道”。
國產芯片廠商面臨考驗
美韓3家巨頭的背后,光刻機巨ASML賺得盆滿缽滿。根據韓國媒體BusinessKorea此前的報道,ASML將赴韓國建廠,助力三星和SK海力士擴充產能。
以三星為例,根據業界消息,三星計劃在今年共引進10臺EUV光刻機,而三星用于生產存儲芯片的EUV光刻機將達到6臺。而對于ASML來說,一臺EUV光刻機的造價便高達1.35億美元,僅三星一個大客戶便可以帶來可觀的營收。
不過,幾家歡喜幾家愁。對于國內的存儲芯片廠商來說,美企韓企的“混戰”,無疑意味著更大的挑戰。
Strategy Analytics的數據顯示,今年一季度,三星在智能手機NAND閃存芯片市場的占比達到42%,在DRAM存儲芯片市場的占比同樣高達54%,霸主地位毋庸置疑。而排在三星之后的,正是SK海力士和美光。
而對于國內廠商來說,在市場份額、技術水平并不占優勢的情況下,三星等巨頭又有了EUV光刻機的加持,國內廠商想要追趕無疑是難上加難。
在國內,長江存儲、合肥長鑫等均是國產存儲的希望。2020年4月,長江存儲發布了兩款128層3D NAND閃存芯片,在先進工藝上邁出了重要一步。
而合肥長鑫也在2019年成功量產19nm工藝的DRAM存儲器產品,并開始向更為先進的17nm等演進。
不過,雖然國內廠商極力追趕,與國際巨頭的差距仍明顯存在。目前,DRAM存儲芯片的工藝制程已經推進至10nm左右,且國內廠商還需克服量產的良品率等問題,可謂任重而道遠。
寫在最后
美企韓企的混戰給國內廠商敲響了警鐘,國內企業唯有加速自主研發,才能擺脫核心工藝受制于人的局面,國產存儲芯片終將在國際舞臺大放異彩。
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