雖然目前來看，下一代芯片普遍依然采用 5nm 工藝打造，但是廠商卻一直在耗費巨資開發 3nm 工藝，其中臺積電就表示將要在明年量產 3nm 工藝。不過，消息稱臺積電依然選擇 FinFET 晶體管技術，三星則選擇了 GAA 技術，并且還成功流片，距離實現量產更近了一步。

　　據韓媒 Business Korea 最新報道，三星電子裝置解決方案事業部門技術長 Jeong Eun-seung 在 8 月 25 日的一場網絡技術論壇中透露，三星能夠搶在主要競爭者臺積電之前，宣布 GAA 技術商業化。

　　他直言：“我們開發中的 GAA 技術，領先主要競爭者臺積電。一旦鞏固這項技術，我們的晶圓代工事業將可更加成長。”

　　據悉 ，GAA 是一種新型的環繞柵極晶體管，通過使用納米片設備出了 MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET， 多橋-通道場效應管)，該技術可以顯著增強晶體管性能，主要取代 FinFET 晶體管技術。

　　根據三星的說法，與 5nm 工藝相比 ，3nm GAA 技術的邏輯面積效率提高了 35% 以上，功耗降低了 50%， 性能提高了約 30%。

　　三星早在 2019 年就公布了 3nm GAA 工藝的 PDK 物理設計套件標準，當時三星預計 3nm GAA 工藝會在 2020 年底試產 ，2021 年量產，但現在顯然不能實現這個計劃了。

　　需要注意的是，有消息稱三星 3nm GAA 工藝如果拖到 2024 年量產，將會直接與臺積電 2nm 競爭，到時候鹿死誰手還猶未可知。
　　文章來源：http://www.cjgs.cn/html/keji/2021_08/27/183180.html

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